VHM40-06P1备选型号: STE70NM60
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- Reach合规守则
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC212 Weeks底座安装底座安装ECO-PAC212SILICON2-40°C~150°C TJBulk2009yes不用于新设计1 (Unlimited)6UPPERUNSPECIFIED未说明未说明6R-XUFM-X6不合格COMPLEX增强型MOSFETISOLATED2 N-Channel (Dual)SWITCHING70m Ω @ 25A, 10V5.5V @ 3mA220nC @ 10V600V38A0.07Ohm600V1800 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant--------------------
- MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP12 WeeksChassis Mount, Screw底座安装ISOTOP4SILICON70A Tc150°C TJTube--活跃1 (Unlimited)4UPPERUNSPECIFIED未说明未说明4-不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING55m Ω @ 30A, 10V5V @ 250μA266nC @ 10V-70A-----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)MDmesh™EAR9955MOhm600Vnot_compliant70ASTE70600W55 ns7300pF @ 25V95ns±30V76 ns4V30V600V280A无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STE40NC60 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ISOTOP | MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP | 对比 |
![]() | STE70NM60 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ISOTOP | MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP | 对比 |
![]() | STE70NM50 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ISOTOP | MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP | 对比 |



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