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首页 全部分类 VKM60-01P1 vs FDP3651U

VKM60-01P1备选型号: FDP3651U

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  • 资历状况
  • 配置
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  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    VKM60-01P1
    IXYS
    MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    ECO-PAC2
    13
    SILICON
    4
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    HiPerFET™
    2005
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    15
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    300W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    15
    R-XUFM-X15
    不合格
    BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    300W
    4 N-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    25m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 4mA
    4500pF @ 25V
    260nC @ 10V
    100V
    75A
    0.025Ohm
    300A
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP3651U
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 80A, 10V
    5.5V @ 250μA
    5522pF @ 25V
    69nC @ 10V
    -
    80A
    -
    220A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    e3
    18MOhm
    Tin (Sn)
    100V
    80A
    Single
    255W
    15 ns
    16ns
    ±20V
    14 ns
    4.5V
    TO-220AB
    20V
    100V
    266 mJ
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    无铅
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