IXYS VKM60-01P1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ECO-PAC2

引脚数

13

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

4

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

HiPerFET™

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

15

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

300W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

15

JESD-30代码

R-XUFM-X15

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

300W

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

连续放电电流(ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant