我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
VKM60-01P1备选型号: STB60NF10-1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC212 Weeks通孔通孔ECO-PAC213SILICON4-40°C~150°C TJBulkHiPerFET™2005yes不用于新设计1 (Unlimited)15EAR99HIGH RELIABILITY300WUPPERUNSPECIFIED未说明未说明15R-XUFM-X15不合格BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR增强型MOSFETISOLATED300W4 N-Channel (H-Bridge)SWITCHING25m Ω @ 500mA, 10V4V @ 4mA4500pF @ 25V260nC @ 10V100V75A0.025Ohm300A100VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-----------
MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A-通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeSTripFET™ II--Obsolete1 (Unlimited)3EAR99----225未说明3-不合格-增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING23m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA4270pF @ 25V104nC @ 10V-80A-----ROHS3 Compliante3哑光锡STB60NSingle300W56ns±20V23 ns20V100V485 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP60NF10 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STP60NF10 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V STripFET II, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics | 对比 |
 | IRF3710PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB | 对比 |
| STB60NF10-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A | 对比 |
哦! 它是空的。