VN10KN3-G-P013备选型号: 2N7000TA
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 制造商包装标识符
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,60V,5.0 Ohm3 TO-92AMMO6 WeeksTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)通孔通孔453.59237mgSILICON310mA Tj2013Tape & Box (TB)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM未说明未说明O-PBCY-T31Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING5 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 1mA60pF @ 25V±30V310mA30V5Ohm60V5 pF4.19mm5.21mm5.33mmROHS3 Compliant------------------
- MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-929 WeeksTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)通孔通孔--200mA Tc2013Tape & Box (TB)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-EAR99-----Single-N-Channel-5 Ω @ 500mA, 10V3V @ 1mA50pF @ 25V±20V200mA30V-60V-4.19mm5.2mm5.33mmROHS3 CompliantCopper, Silver, Tin3TO-92 3Le35OhmTin (Sn)60V200mA2N7000400mW10 ns10ns10 ns3.9V0.2A无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N7000TA | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 | 对比 |
![]() | ZVN3306A | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line | 对比 |
![]() | BS170P | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | DIODES INC. BS170P MOSFET Transistor, N Channel, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |




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