Microchip Technology VN10KN3-G-P013

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

安装类型

通孔

底架

通孔

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

310mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Power Dissipation (Max)

1W Tc

Number of Elements

1

已出版

2013

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-T3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60pF @ 25V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

310mA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

漏源击穿电压

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

宽度

4.19mm

长度

5.21mm

高度

5.33mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant