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VN10KN3-G-P013备选型号: VN10LP
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- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- 螺纹距离
- 功率耗散
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,60V,5.0 Ohm3 TO-92AMMO6 WeeksTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)通孔通孔453.59237mgSILICON310mA Tj2013Tape & Box (TB)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM未说明未说明O-PBCY-T31Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING5 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 1mA60pF @ 25V±30V310mA30V5Ohm60V5 pF4.19mm5.21mm5.33mmROHS3 Compliant----------------- MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-317 WeeksTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)通孔通孔453.59237mgSILICON270mA Ta2006Bulk-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM26040-1Single增强型MOSFETN-Channel-5 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 1mA60pF @ 25V±20V270mA20V-60V5 pF2.41mm4.77mm4.01mmROHS3 Compliant3e3yes5OhmMatte Tin (Sn)60VWIRE270mA31.27mm625mW2.5V0.27A无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N7000TA | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 | 对比 |
| ZVN3306A | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line | 对比 |
| BS170P | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | DIODES INC. BS170P MOSFET Transistor, N Channel, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
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