您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 ZXMN3AM832TA vs FDT458P

ZXMN3AM832TA备选型号: FDT458P

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3AM832TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
    表面贴装
    8
    299.994654mg
    2
    Cut Tape (CT)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    120mOhm
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    低阈值
    30V
    1.13W
    DUAL
    FLAT
    260
    3A
    40
    10
    不合格
    2
    增强型MOSFET
    3W
    1.7 ns
    SWITCHING
    2.3ns
    30V
    N-CHANNEL
    2.9 ns
    3.7A
    20V
    30V
    190pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    180mOhm
    120 mΩ
    1mm
    3mm
    2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDT458P
    ON Semiconductor
    30V/20V, 130/200MO, PCH, SINGL
    表面贴装
    3
    188mg
    3W Ta
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    TIN
    -
    -
    -
    -30V
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -3.4A
    30
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    3W
    4.5 ns
    SWITCHING
    12.5ns
    30V
    -
    2 ns
    3.4A
    20V
    -30V
    -
    -
    -
    -
    1.8mm
    6.5mm
    3.56mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    TO-261-4, TO-261AA
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    2001
    yes
    R-PDSO-G4
    Single
    DRAIN
    P-Channel
    130m Ω @ 3.4A, 10V
    205pF @ 15V
    3.5nC @ 10V
    ±20V
    -1.8V
    150°C
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ZXMN3AMCTA ZXMN3AMCTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-VDFN Exposed Pad Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R 对比
FDT458P FDT458P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA 30V/20V, 130/200MO, PCH, SINGL 对比
NTMD4184PFR2G NTMD4184PFR2G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 对比