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首页 全部分类 ZXMN3AM832TA vs NTMD4184PFR2G

ZXMN3AM832TA备选型号: NTMD4184PFR2G

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  • 长度
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 已出版
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  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3AM832TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
    表面贴装
    8
    299.994654mg
    2
    Cut Tape (CT)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    120mOhm
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    低阈值
    30V
    1.13W
    DUAL
    FLAT
    260
    3A
    40
    10
    不合格
    2
    增强型MOSFET
    3W
    1.7 ns
    SWITCHING
    2.3ns
    30V
    N-CHANNEL
    2.9 ns
    3.7A
    20V
    30V
    190pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    180mOhm
    120 mΩ
    1mm
    3mm
    2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMD4184PFR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
    表面贴装
    8
    -
    2.3A Ta
    Tape & Reel (TR)
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.31W
    7.2 ns
    SWITCHING
    12ns
    30V
    -
    2.8 ns
    2.3A
    20V
    -30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    38 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    2008
    yes
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    P-Channel
    95m Ω @ 3A, 10V
    360pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    ±20V
    4A
    0.095Ohm
    Schottky Diode (Isolated)
    无
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