Diodes Incorporated ZXMN3AM832TA
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ZXMN3AM832TA
671-ZXMN3AM832TA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
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ZXMN3AM832TA详情
Diodes Incorporated ZXMN3AM832TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
299.994654mg
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
6.6 ns
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
低阈值
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
1.13W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
10
资历状况
不合格
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3W
接通延迟时间
1.7 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
2.3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
2.9 ns
连续放电电流(ID)
3.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
190pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
180mOhm
最大rds
120 mΩ
高度
1mm
长度
3mm
宽度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMN3AM832TA拓展信息
Diodes Incorporated
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