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首页 全部分类 ZXMN3AM832TA vs IRF9956TRPBF

ZXMN3AM832TA备选型号: IRF9956TRPBF

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  • 漏源电阻
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  • 包装/外壳
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  • 操作温度
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  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3AM832TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
    表面贴装
    8
    299.994654mg
    2
    Cut Tape (CT)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    120mOhm
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    低阈值
    30V
    1.13W
    DUAL
    FLAT
    260
    3A
    40
    10
    不合格
    2
    增强型MOSFET
    3W
    1.7 ns
    SWITCHING
    2.3ns
    30V
    N-CHANNEL
    2.9 ns
    3.7A
    20V
    30V
    190pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    180mOhm
    120 mΩ
    1mm
    3mm
    2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9956TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
    表面贴装
    8
    -
    2
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    20V
    2W
    -
    鸥翼
    -
    3.5A
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    6.2 ns
    SWITCHING
    8.8ns
    -
    -
    3 ns
    3.5A
    20V
    30V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2004
    IRF9956PBF
    Dual
    2 N-Channel (Dual)
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    190pF @ 15V
    14nC @ 10V
    0.1Ohm
    16A
    44 mJ
    逻辑电平门
    20 V
    无SVHC
    无
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