Advanced 2N5643

包装/外壳

Axial

供应商器件包装

Axial

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

60 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

5

Unit Weight

0.105822 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

200 MHz

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

35 V

操作温度

-55°C ~ 250°C

系列

Military, MIL-PRF-39007, RWR80S

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.406 L (2.39mm x 10.31mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±50ppm/°C

类型

射频双极功率

电阻

2.98 Ohms

组成

Wirewound

功率(瓦特)

2W

子类别

Transistors

技术

Si

工作频率

175 MHz

失败率

M (1%)

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

连续集电极电流

5 A

特征

Military, Moisture Resistant

产品类别

射频双极晶体管

座位高度(最大)

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