Advanced AGR21090EF

包装/外壳

Axial

表面安装

YES

供应商器件包装

Axial

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

AGR21090EF

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

AVAGO TECHNOLOGIES INC

Risk Rank

5.25

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±0.5%

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±25ppm/°C

电阻

124 kOhms

端子表面处理

锡铅

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDFM-F2

资历状况

不合格

失败率

S (0.001%)

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250 W

最高频段

S带

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

产品类别

射频MOSFET晶体管

座位高度(最大)

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