Advanced BLV20

包装/外壳

01005 (0402 Metric)

表面安装

NO

供应商器件包装

1005

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Stackpole Electronics Inc

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

20 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

Maximum DC Collector Current

2.5 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

35 V

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

BLV20

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

4.35

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

RMCF

包装

Tray

尺寸/尺寸

0.016 L x 0.008 W (0.40mm x 0.20mm)

容差

±1%

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±200ppm/°C

类型

射频双极功率

电阻

402 kOhms

组成

厚膜

功率(瓦特)

0.03W, 1/32W

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

175 MHz

失败率

-

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

最大耗散功率(Abs)

20 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

1 A

集电极-发射器电压-最大值

35 V

最高频段

甚高频段

特征

Automotive AEC-Q200

产品类别

射频双极晶体管

座位高度(最大)

0.006 (0.15mm)

评级结果

AEC-Q200