Advanced BLV21

包装/外壳

SOT-123

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

36 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

5

Unit Weight

0.374172 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

35 V

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

BLV21

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.08

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极功率

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

175 MHz

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

最大耗散功率(Abs)

36 W

集电极电流-最大值(IC)

1.75 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

1.75 A

集电极-发射器电压-最大值

35 V

最高频段

甚高频段

集电极-基极电容-最大值

50 pF

产品类别

射频双极晶体管