Advanced BLV57

安装类型

面板安装

包装/外壳

SOT-161A

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Grayhill Inc.

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

3.5 V

Pd - Power Dissipation

77 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

15

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

Maximum DC Collector Current

4 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

27 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

2500 MHz

Manufacturer Part Number

BLV57

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.09

系列

62VG

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极功率

子类别

Transistors

技术

Si

电压 - 供电

3.175V ~ 3.425V

端子位置

DUAL

方向

用户可选

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

终端样式

带连接器的电缆

JESD-30代码

R-CDFM-F8

资历状况

不合格

执行器类型

1/4 Dia Flatted End

工作频率

860 MHz

输出类型

NPN - Open Collector, Quadrature, 2-Bit

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

内置开关

有

编码器类型

Optical

最大耗散功率(Abs)

77 W

止动器

有

每转脉冲

-

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

15

旋转寿命(循环分钟)

1M

连续集电极电流

2 A

集电极-发射器电压-最大值

27 V

最高频段

超高频段

产品类别

射频双极晶体管