Advanced MRF3866

包装/外壳

SOIC-8

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

DC Collector/Base Gain hfe Min

5

Emitter- Base Voltage VEBO

3.5 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

100

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Manufacturer Part Number

MRF3866

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

活跃

Pd - Power Dissipation

1 W

Risk Rank

1.57

RoHS

Details

Transistor Polarity

NPN

Transition Frequency-Nom (fT)

800 MHz

Unit Weight

0.019048 oz

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极小信号

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

工作频率

200 MHz

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

Bipolar

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

0.4 A

最小直流增益（hFE）

5

连续集电极电流

400 mA

集电极-发射器电压-最大值

30 V

最高频段

甚高频段

集电极-基极电容-最大值

3 pF

产品类别

射频双极晶体管