Advanced Micro Devices AM27S25A/B3A
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AM27S25A/B3A
126-AM27S25A/B3A
存储器
28-CLCC
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AM27S25 - OTP ROM, 512X8, 25NS
--最小包装量--
AM27S25A/B3A详情
Advanced Micro Devices AM27S25A/B3A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
包装/外壳
28-CLCC
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
28-CLCC
终端数量
28
厂商
Advanced Micro Devices
Memory Types
Non-Volatile
Product Status
活跃
Package
Bulk
Base Product Number
AM27S25A
Package Description
QCCN, LCC28,.45SQ
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
512
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
LCC28,.45SQ
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
25 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
AM27S25A/B3A
Number of Words
512 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCN
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
AMD
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ADVANCED MICRO DEVICES INC
Risk Rank
5.18
Part Package Code
QLCC
Usage Level
Military grade
系列
-
操作温度
-55°C ~ 125°C (TC)
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
OTP ROM
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
28
JESD-30代码
S-CQCC-N28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
4Kbit
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
35 ns
内存格式
PROM
内存接口
Parallel
组织结构
512X8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.905 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
4096 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
OTP ROM
组织的记忆
512 x 8
宽度
11.43 mm
长度
11.43 mm
AM27S25A/B3A拓展信息
Advanced Micro Devices
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AMD
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