Advanced Micro Devices AM27S29/BRA
- 收藏
- 对比
AM27S29/BRA
126-AM27S29/BRA
存储器
20-CDIP (0.300", 7.62mm)
大陆
立即发货

AM27S29 - OTP ROM, 512X8, 70NS
--最小包装量--
AM27S29/BRA详情
Advanced Micro Devices AM27S29/BRA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
20-CDIP (0.300", 7.62mm)
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
20-CDIP
终端数量
20
厂商
Advanced Micro Devices
Memory Types
Non-Volatile
Product Status
活跃
Package
Bulk
Base Product Number
AM27S29
Package Description
CERAMIC, DIP-20
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
512
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
AM27S29/BRA
Number of Words
512 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.26
Part Package Code
DIP
系列
-
操作温度
-55°C ~ 125°C (TC)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.71
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
20
JESD-30代码
R-GDIP-T20
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
4Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
70 ns
内存格式
PROM
内存接口
Parallel
组织结构
512X8
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
4096 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
OTP ROM
组织的记忆
512 x 8
宽度
7.62 mm
长度
24.257 mm
AM27S29/BRA拓展信息
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD
Advanced Micro Devices
AMD
AMD







哦! 它是空的。