AM27S29/BRA
AM27S29/BRA

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Advanced Micro Devices AM27S29/BRA

  • 收藏
  • 对比

型号

AM27S29/BRA

utmel 编号

126-AM27S29/BRA

商品类别

存储器

封装

20-CDIP (0.300", 7.62mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AM27S29 - OTP ROM, 512X8, 70NS

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
AM27S29/BRA
AM27S29/BRA Advanced Micro Devices AM27S29 - OTP ROM, 512X8, 70NS

请发送询价,我们将立即回复。

库存:7

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

AM27S29/BRA详情

Advanced Micro Devices AM27S29/BRA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    20-CDIP (0.300", 7.62mm)

  • 安装类型

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    20-CDIP

  • 终端数量

    20

  • 厂商

    Advanced Micro Devices

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Product Status

    活跃

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    AM27S29

  • Package Description

    CERAMIC, DIP-20

  • Package Style

    IN-LINE

  • Number of Words Code

    512

  • Package Body Material

    CERAMIC, GLASS-SEALED

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Access Time-Max

    70 ns

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Manufacturer Part Number

    AM27S29/BRA

  • Number of Words

    512 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    DIP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.26

  • Part Package Code

    DIP

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C (TC)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8542.32.00.71

  • 电压 - 供电

    4.5V ~ 5.5V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    20

  • JESD-30代码

    R-GDIP-T20

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 内存大小

    4Kbit

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 访问时间

    70 ns

  • 内存格式

    PROM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    512X8

  • 座位高度-最大

    5.08 mm

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 记忆密度

    4096 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    OTP ROM

  • 组织的记忆

    512 x 8

  • 宽度

    7.62 mm

  • 长度

    24.257 mm

0个相似型号

AM27S29/BRA拓展信息

AM27S35/BUA
AM27S35/BUA

Advanced Micro Devices

AM27S47A/BUA
AM27S47A/BUA

Advanced Micro Devices

AM27S07A/B2A
AM27S07A/B2A

Advanced Micro Devices

AM27S181A/BKA
AM27S181A/BKA

Advanced Micro Devices

AM27S25A/B3A
AM27S25A/B3A

Advanced Micro Devices

AM93422DMB
AM93422DMB

Advanced Micro Devices

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z