Advanced Micro Devices AM27S29/BRA
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AM27S29/BRA
126-AM27S29/BRA
存储器
20-CDIP (0.300", 7.62mm)
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AM27S29 - OTP ROM, 512X8, 70NS
1最小包装量--
AM27S29/BRA详情
Advanced Micro Devices AM27S29/BRA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
20-CDIP (0.300", 7.62mm)
安装类型
通孔
表面安装
NO
引脚数
20
供应商器件包装
20-CDIP
终端数量
20
厂商
Advanced Micro Devices
Memory Types
Non-Volatile
Product Status
活跃
Package
Bulk
Base Product Number
AM27S29
Package Description
CERAMIC, DIP-20
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
512
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
70 ns
Part Package Code
DIP
Risk Rank
5.26
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
DIP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
512 words
Manufacturer Part Number
AM27S29/BRA
Operating Temperature-Max
125 °C
系列
-
操作温度
-55°C ~ 125°C (TC)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.71
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-GDIP-T20
资历状况
不合格
温度等级
MILITARY
内存大小
4Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
70 ns
内存格式
PROM
内存接口
Parallel
组织结构
512X8
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
4096 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
OTP ROM
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
4.5 V
组织的记忆
512 x 8
宽度
7.62 mm
长度
24.257 mm
AM27S29/BRA拓展信息
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AMD
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