Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT20S60L

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

266W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

aMOS™

已出版

2010

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1038pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

20A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

600V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅