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技术文档
型号
S71JL064H80BAW110
品牌
AMD
utmel 编号
126-S71JL064H80BAW110
商品类别
专用
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Memory Circuit, Flash PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA73, 11.60 X 8 MM, FBGA-73
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S71JL064H80BAW110详情
技术参数
PDF文档
AMD S71JL064H80BAW110重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
73
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ADVANCED MICRO DEVICES INC
Part Package Code
BGA
Package Description
11.60 X 8 MM, FBGA-73
Access Time-Max
70 ns
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LFBGA
Package Equivalence Code
BGA73,10X12,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
PSRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; FLASH CAN ALSO BE ORGANIZED AS 8M X 8
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B73
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
组织结构
4MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
记忆密度
67108864 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+PSRAM
长度
11.6 mm
宽度
8 mm
技术文档: AMD S71JL064H80BAW110.
S71JL064H80BAW110拓展信息
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公司资质
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型号:S71GL512NC0BFWEZ2
封装:--
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