AMI Semiconductor FDD6N25TM

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

D-Pak

Voltage, Rating

100 V

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.4A (Tc)

Other Names

FDD6N25TMDKR

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

UniFET™

包装

Original-Reel®

容差

0.25 %

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

温度系数

100 ppm/°C

电阻

634 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

100 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1 Ohm @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-

高度

650 µm