AMI Semiconductor FQP2P40-F080

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

RoHS

Non-Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A (Tc)

Other Names

FQP2P40_F080 FQP2P40_F080-ND

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

63W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

包装

Tube

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

50 Ω

技术

MOSFET (Metal Oxide)

方向

Straight

频率

4 Hz

阻抗

50 Ω

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5 Ohm @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

400V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-