AMI Semiconductor FQPF9N25C

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220F

RoHS

Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

38W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

包装

Tube

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

颜色

White

最大功率耗散

14.8 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大额定电流

750 mA

视角

115 °

镜头风格

Flat

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

430 mOhm @ 4.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

测试电流

400 mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

正向电压

18 V

发光通量

700 lm

场效应管特性

-

显色指数(CRI)

80

测试温度

85 °C

宽度

15.85 mm

高度

1.7 mm

长度

15.85 mm