AMI Semiconductor NTD32N06G

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

DPAK

RoHS

Non-Compliant

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta), 93.75W (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A (Ta)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

包装

Tube

系列

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

26 mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1725pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-