AMI Semiconductor NTD3813NT4G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

DPAK

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.6A (Ta), 51A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.75 mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

963pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

16V

Vgs（最大值）

±16V

场效应管特性

-