AMI Semiconductor NTD4863NA-35G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

4

供应商器件包装

I-PAK

RoHS

Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.2A (Ta), 49A (Tc)

Power Dissipation (Max)

1.27W (Ta), 36.6W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-65 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.3 mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

990pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

25V

场效应管特性

-

宽度

6.5024 mm

高度

16.3068 mm

长度

19.4818 mm