AMI Semiconductor NTD6600N

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

DPAK

Lead Free Status / RoHS Status

Contains lead / RoHS non-compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Power Dissipation (Max)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

146 mOhm @ 6A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-