AMI Semiconductor NTHD5904NT1G

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

ChipFET™

Power Dissipation (Max)

640mW (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Other Names

NTHD5904NT1G-ND NTHD5904NT1GOSTR

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A (Ta)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

包装

Tape & Reel (TR)

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65 mOhm @ 3.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

465pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

-