AMI Semiconductor NTMFS4C59NT1G
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NTMFS4C59NT1G
137-NTMFS4C59NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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NTMFS4C59NT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
NTMFS4C59NT1G详情
AMI Semiconductor NTMFS4C59NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold
底架
Flanges, Panel, Through Hole
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
73
供应商器件包装
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RoHS
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A (Ta), 52A (Tc)
Other Names
NTMFS4C59NT1G-ND NTMFS4C59NT1GOSTR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
-
包装
Bulk
操作温度
-
系列
-
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
Solder
连接器类型
Receptacle
定位的数量
73
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
紧固类型
Threaded
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.8 mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1252pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
特征
Shielded
评级结果
抗环境干扰
NTMFS4C59NT1G拓展信息
AMI Semiconductor
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