AMI Semiconductor NTTFS5820NLTWG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件包装

8-WDFN (3.3x3.3)

Voltage, Rating

25 V

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Ta), 37A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

2.7W (Ta), 33W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

容差

1 %

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

温度系数

50 ppm/°C

电阻

193 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

63 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.5 mOhm @ 8.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1462pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

高度

350 µm