AMI Semiconductor NVMFS5834NLT3G

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Power Dissipation (Max)

3.6W (Ta), 107W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Ta), 75A (Tc)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

包装

Tape & Reel (TR)

系列

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

颜色

Black

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电缆长度

1 m

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.3 mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1231pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-