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Analog Devices 5962-8866205UA

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型号

5962-8866205UA

utmel 编号

153-5962-8866205UA

商品类别

存储器

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

32K X 8 Standard SRAM 35 Ns CQCC28

起订量

1最小包装量--

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5962-8866205UA Analog Devices 32K X 8 Standard SRAM 35 Ns CQCC28

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5962-8866205UA详情

Analog Devices 5962-8866205UA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    Axial

  • 终端数量

    28

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    RLR05

  • 厂商

    Vishay Dale

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    QCCN, LCC28,.35X.55

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Number of Words Code

    32000

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Equivalence Code

    LCC28,.35X.55

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Access Time-Max

    35 ns

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Manufacturer Part Number

    5962-8866205UA

  • Number of Words

    32768 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    QCCN

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    e2v technologies

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    TELEDYNE E2V (UK) LTD

  • Risk Rank

    5.55

  • Usage Level

    Military grade

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-39017/05, RLR05

  • 尺寸/尺寸

    0.066 Dia x 0.150 L (1.68mm x 3.81mm)

  • 容差

    ±1%

  • JESD-609代码

    e0

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    3A001.A.2.C

  • 温度系数

    ±100ppm/°C

  • 电阻

    80.6 kOhms

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.125W, 1/8W

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    无铅

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-CQCC-N28

  • 资历状况

    Qualified

  • 失败率

    M (1%)

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.15 mA

  • 组织结构

    32KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    3.048 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.02 A

  • 记忆密度

    262144 bit

  • 筛选水平

    38535Q/M;38534H;883B

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    4.5 V

  • 特征

    Military, Moisture Resistant, Weldable

  • 座位高度(最大)

    -

  • 宽度

    8.89 mm

  • 长度

    13.97 mm

0个相似型号

技术文档: Analog Devices 5962-8866205UA.

5962-8866205UA拓展信息

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S99FL256SN000
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DC895A-B
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DS1270AB-70IND#
DS1270AB-70IND#

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