Broadcom Limited ATF-511P8-BLK
- 收藏
- 对比
ATF-511P8-BLK
354-ATF-511P8-BLK
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
8-WFDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

AVAGO TECHNOLOGIES ATF-511P8-BLK RF FET Transistor, 7 V, 1 A, 3 W, 50 MHz, 6 GHz, LPCC
1最小包装量--
ATF-511P8-BLK详情
Broadcom Limited ATF-511P8-BLK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
8-WFDFN Exposed Pad
引脚数
8
Number of Elements
1
包装
Bulk
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
低噪音
电压 - 额定直流
4.5V
最大功率耗散
3W
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
频率
2GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3W
箱体转运
SOURCE
测试电流
200mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
4.5V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
E-pHEMT
连续放电电流(ID)
1A
栅极至源极电压(Vgs)
1V
增益
14.8dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
双电源电压
4.5V
DS 击穿电压-最小值
7V
功率 - 输出
30dBm
场效应管技术
高电子迁移率
噪声图
1.4dB
栅源电压
280 mV
高度
800μm
长度
2.1mm
宽度
2.1mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ATF-511P8-BLK拓展信息
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited








哦! 它是空的。