Broadcom Limited VMMK-1218-BLKG

底架

表面贴装

包装/外壳

0402 (1005 Metric)

引脚数

3

晶体管元件材料

砷化镓

Number of Elements

1

包装

Strip

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最大功率耗散

300mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

频率

10GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

箱体转运

SOURCE

测试电流

20mA

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

5V

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

E-pHEMT

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

1V

增益

9dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

DS 击穿电压-最小值

5V

功率 - 输出

12dBm

场效应管技术

高电子迁移率

噪声图

0.81dB

电压-测试

3V

高度

250μm

长度

1mm

宽度

500μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅