Broadcom Limited ATF-521P8-BLK
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ATF-521P8-BLK
354-ATF-521P8-BLK
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
8-WFDFN Exposed Pad
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AVAGO TECHNOLOGIES ATF-521P8-BLK RF FET Transistor, 7 V, 500 mA, 1.5 W, 50 MHz, 6 GHz, LPCC
1最小包装量--
ATF-521P8-BLK详情
Broadcom Limited ATF-521P8-BLK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
8-WFDFN Exposed Pad
引脚数
8
Number of Elements
1
包装
Bulk
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
4.5V
最大功率耗散
1.5W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
频率
2GHz
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.5W
箱体转运
SOURCE
测试电流
200mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
4.5V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
pHEMT FET
连续放电电流(ID)
500mA
JEDEC-95代码
MO-229
栅极至源极电压(Vgs)
1V
增益
17dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
双电源电压
4.5V
DS 击穿电压-最小值
7V
功率 - 输出
26.5dBm
场效应管技术
高电子迁移率
噪声图
1.5dB
栅源电压
280 mV
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ATF-521P8-BLK拓展信息
Broadcom Limited
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