注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
NE68730-T1
品牌
CEL
utmel 编号
414-NE68730-T1
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
SC-70, SOT-323
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF TRANS NPN 3V 11GHZ SOT323
起订量
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NE68730-T1详情
技术参数
PDF文档
型号对比
CEL NE68730-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
Collector-Emitter Breakdown Voltage
3V
Number of Elements
1
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
90mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
频率
11GHz
基本部件号
NE68730
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
30mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 20mA 2V
转换频率
11000MHz
发射极基极电压 (VEBO)
2V
连续集电极电流
集电极-基极电容-最大值
0.8pF
噪音数字(分贝类型@ f)
1.3dB ~ 2dB @ 2GHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
技术文档: CEL NE68730-T1.
右边的3个型号有着和CEL & NE68730-T1相似的参数规格。
Surface Mount
3 V
30 mA
11000 MHz
90 mW
NXP USA Inc.
-
8000 MHz
8500 MHz
Toshiba Semiconductor and Storage
20 V
300 mA
100 mW
12 V
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NE46134-T1-AZ
封装:TO-243AA
品牌:CEL
库存:0
型号:NE68030-T1-A
封装:SC-70, SOT-323
型号:NE663M04-T2-A
封装:SOT-343F
型号:NE68519-T1-A
封装:SOT-523
型号:NE97833-T1B-A
封装:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号:NE68119-T1-A
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