Central Semiconductor 2N1711

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-39

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW

hFEMin

60

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

70MHz

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

500mA

转换频率

70MHz

频率转换

70MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

500mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅