Central Semiconductor 2N2222A

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-18

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Frequency(Max)

300MHz

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

300MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW

hFEMin

100

包装

Bulk

已出版

2003

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

250MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

500mW

晶体管应用

SWITCHING

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

800mA

转换频率

300MHz

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最小直流增益（hFE）

40

最大结点温度（Tj）

200°C

关断时间-最大值（toff)

285ns

高度

5.33mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅