Central Semiconductor 2N2222A

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-18

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Frequency(Max)

300MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW

hFEMin

100

包装

Bulk

已出版

2003

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

250MHz

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

500mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

800mA

转换频率

300MHz

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最小直流增益（hFE）

40

最大结点温度（Tj）

200°C

关断时间-最大值（toff)

285ns

高度

5.33mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅