Central Semiconductor 2N2368

工厂交货时间

9 Weeks

包装/外壳

TO-18

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

20

包装

Box

已出版

2017

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

400MHz

集电极发射器电压(VCEO)

15V

转换频率

400MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

最大耗散功率(Abs)

0.36W

发射极基极电压 (VEBO)

4V

集电极电流-最大值(IC)

0.5A

最小直流增益（hFE）

20

关断时间-最大值（toff)

15ns

接通时间-最大值(ton)

12ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant