2N2906A
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Central Semiconductor 2N2906A

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型号

2N2906A

utmel 编号

420-2N2906A

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-18

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS

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2N2906A Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS

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2N2906A详情

Central Semiconductor 2N2906A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-18

  • 表面安装

    NO

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    4W

  • hFEMin

    75

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    PNP

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    200MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60V

  • 最大集电极电流

    600mA

  • 转换频率

    200MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 最小直流增益(hFE)

    40

  • 关断时间-最大值(toff)

    100ns

  • 接通时间-最大值(ton)

    45ns

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Central Semiconductor 2N2906A.

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