Central Semiconductor 2N3019

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TO-39

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

hFEMin

100

Power Dissipation (Max)

800mW

Operating Temperature (Max.)

200°C

Number of Elements

1

已出版

2001

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

1A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅