Central Semiconductor 2N3019

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-39

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

200°C

Power Dissipation (Max)

800mW

hFEMin

100

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

1A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅