Central Semiconductor 2N3583

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-66

Collector-Emitter Breakdown Voltage

175V

Collector-Emitter Saturation Voltage

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35W

hFEMin

40

已出版

2016

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

10MHz

集电极发射器电压(VCEO)

5V

最大集电极电流

1A

转换频率

10MHz

频率转换

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

250V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最小直流增益（hFE）

10

RoHS状态

符合RoHS标准