Central Semiconductor 2N3839

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3839

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.22

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

1000 MHz

hFEMin

30

RoHS

Non-Compliant

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

200 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

2 GHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15 V

最大集电极电流

40 mA

JEDEC-95代码

TO-72

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

发射极基极电压 (VEBO)

2.5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.04 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

15 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

1 pF