Central Semiconductor 2N3866

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-39

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

5W

hFEMin

10

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

500MHz

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

400mA

转换频率

500MHz

频率转换

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

55V

发射极基极电压 (VEBO)

3.5V

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

400mA

最高频段

高频b

集电极-基极电容-最大值

3pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅