Central Semiconductor 2N5179

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-72

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW

hFEMin

25

包装

Bulk

已出版

2013

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

2GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

2 GHz

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

50mA

增益

15 dB

转换频率

900MHz

频率转换

2GHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

2.5V

连续集电极电流

50mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅