Central Semiconductor 2N918

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-72

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW

hFEMin

20

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

600MHz

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

50mA

转换频率

600MHz

频率转换

600MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

50mA

集电极-基极电容-最大值

3pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅