Central Semiconductor Corp 2N4427

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

元素配置

Single

输出功率

1W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

500MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

400mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 100mA 5V

增益

10dB

转换频率

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

连续集电极电流

400mA

最高频段

极高频率 b

集电极-基极电容-最大值

4pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅