Central Semiconductor 2N5770

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-92

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

hFEMin

20

已出版

2008

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

900MHz

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

50mA

转换频率

900MHz

频率转换

900MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

50mA

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

1.7pF

RoHS状态

符合RoHS标准