Central Semiconductor 2N5086

包装/外壳

TO-92-3

表面安装

NO

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

40MHz

集电极发射器电压(VCEO)

50V

转换频率

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

集电极电流-最大值(IC)

0.05A

最小直流增益（hFE）

150

RoHS状态

Non-RoHS Compliant